高速率
離子束輔助沉積及清洗
RF 離子源
為反應性工藝（例如高度控制的光學鍍膜的離子束輔助沉積或離子束沉積）提供寬而均勻的離子束源。
在惰性和氧化環境中均能實現可靠一致的操作。
穩定高效的等離子體操作具有精確控制能力并允許高重復性。
非常適合于負載鎖定生產工藝。
無極放電，壽命長，工作長時間穩定。
工作高度達1米。
離子能量及離子束流密度可以精確控制且變化范圍大。
霍爾離子源
專為真空鍍膜制程提供高射束電流，從而提高制程均勻性并防止基材受損，實現表面預清潔、輔助沉積及選擇性蝕刻。
對需要高電流、低能量離子的應用非常有效。
高射束電流對于控制薄膜應力和化學計量特別有用。
離子能量發散，離子束發散，有較大均勻區。
離子能量低，離子束流密度較大。
結構簡單，拆卸方便。
考夫曼離子源
離子能量，束密可精確控制，不受環境影響。
放氣量小，污染較小。
工作溫升低，可冷鍍。
匯成自主研發離子源
高離子電流密度和均勻分布
照射面積能達到Ф1150mm以上
動作安定性高，能長時間運轉
壽命長，污染少
易于操作和維護
| 型號 | RF-170a |
| 尺寸 | φ300mm × 150mm (H) |
| 柵網尺寸 | Ф 17cm(Molybdenum制3枚) |
| 離子束電壓 | 100V～1500V |
| 離子束電流 | 1000mA |
| 中和器電流 | 1500mA |
| Acc電壓 | 100V～1000V |
| RF功率 | 600W |
| 中和器功率 | 150W |
| 氣體流量 |
20sccm～30sccm（氬氣） 40sccm～60sccm（氧氣） |
| 使用壓力 | ＜3 × 10-2 Pa |
| 水冷方式 | RF線圈和本體 |
| 型號 | RF-170b |
| 尺寸 | φ300mm × 150mm (H) |
| 柵網尺寸 | Ф 17cm(Molybdenum制3枚) |
| 離子束電壓 | 100V～1500V |
| 離子束電流 | 1200mA |
| 中和器電流 | 1800mA |
| Acc電壓 | 100V～1000V |
| RF功率 | 750W/1000W |
| 中和器功率 | 150W |
| 氣體流量 |
20sccm～30sccm（氬氣） 40sccm～60sccm（氧氣） |
| 使用壓力 | ＜3 × 10-2 Pa |
| 水冷方式 | RF線圈和本體 |
| 型號 | RF-230/250 |
| 尺寸 | φ 410mm × 250mm(H) |
| 柵網尺寸 | Ф 23cm/Ф 25cm(Molybdenum制3枚) |
| 離子束電壓 | 100V～1500V |
| 離子束電流 | 1500mA |
| 中和器電流 | 2250mA |
| Acc電壓 | 100V～1000V |
| RF功率 | 2000W |
| 中和器功率 | 200W |
| 氣體流量 |
20sccm～40sccm（氬氣） 40sccm～80sccm（氬氣） |
| 使用壓力 | ＜3 × 10-2 Pa |
| 水冷方式 | RF線圈和本體 |
HCVAC-PVD
